5STP

Модули IGBT серии 5STP производства ABB, выпускаемые на заводе в Ленгвиле, Швейцария, предназначены для использования в преобразователях частоты и инверторах тока. Конструкция основана на прессовочной технологии, что позволяет достигать силы прижатия до 15 кН для обеспечения низкого теплового сопротивления между кристаллом и радиатором. Каждый модуль проходит индивидуальную проверку на соответствие заявленным характеристикам при напряжении изоляции 10.2 кВ в течение 1 минуты. Основным элементом модуля является IGBT чип с номинальным током от 600 А до 3600 А при температуре корпуса 80°C. Для уменьшения паразитной индуктивности используется многослойная топология шин питания. Модули 5STP обеспечивают максимальную рабочую частоту до 20 кГц, что позволяет применять их в высокопроизводительных приводах и системах компенсации реактивной мощности. Размеры корпуса варьируются от 190x130x45 мм до 250x180x55 мм, в зависимости от требуемого уровня мощности. На предприятии в городе Баден, Германия, проводится автоматизированная сборка модулей с использованием роботизированных манипуляторов. Перед заливкой компаундом, предотвращающим проникновение влаги, все электрические соединения проходят визуальный контроль и проверку методом рентгеновской дефектоскопии. Это позволяет выявлять скрытые дефекты и гарантировать отсутствие коротких замыканий и обрывов цепи. Ключевым этапом производства является лазерная сварка силовых выводов к IGBT чипу. Данный процесс, осуществляемый на оборудовании Trumpf, обеспечивает высокую точность и прочность соединения при минимальном термическом воздействии на полупроводниковый кристалл. Допустимый диапазон рабочих температур модулей составляет от -40°C до +125°C, что делает их пригодными для эксплуатации в суровых климатических условиях. Для обеспечения стабильности параметров в процессе эксплуатации каждый модуль подвергается циклическим испытаниям на термостойкость. В течение 1000 циклов температура корпуса изменяется от -55°C до +150°C с выдержкой в каждой точке в течение 30 минут. По результатам испытаний оценивается изменение параметров IGBT и диодов, а также проверяется целостность корпуса и герметичность компаунда.