B25

Серия B25 представляет собой линейку IGBT-модулей, разработанных для применений в силовых преобразователях средней мощности. Производство чипов для B25 налажено на заводе ABB Semiconductors в Ленгнау, Швейцария. Каждый чип проходит процедуру плазменного травления для формирования заданной топологии и последующую металлизацию методом вакуумного напыления алюминия. Контроль толщины металлизированного слоя осуществляется с точностью до 5 нанометров. Корпусирование модулей осуществляется на заводе ABB в городе Брно, Чехия. Для обеспечения стабильного теплового контакта используется технология прессовой сборки с применением термопасты с теплопроводностью 8 Вт/м·К. Номинальный ток коллектора для модулей B25 варьируется от 50А до 150А при напряжении 1200В, а сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) не превышает 20 мОм при 25°C. Ключевым этапом производства является ультразвуковая сварка выводов силовых контактов, которая обеспечивает сопротивление соединения менее 50 микроОм. Для каждой партии модулей B25 проводится выборочное тестирование на устойчивость к коротким замыканиям при 10-кратном превышении номинального тока в течение 10 микросекунд. Рассеиваемая мощность одного модуля достигает 300 Вт при температуре корпуса 80°C. Изоляция между силовыми выводами и основанием модуля выдерживает напряжение 3.6 кВ переменного тока в течение одной минуты. Контроль качества изоляции проводится с использованием автоматизированной системы дефектоскопии с разрешением 0.1 мм. Габаритные размеры модулей B25 составляют 62 x 34 x 12 мм, что позволяет использовать их в компактных силовых преобразователях. Температурный диапазон эксплуатации модулей B25 простирается от -40°C до +150°C. В процессе производства осуществляется контроль содержания влаги в корпусе модуля с помощью масс-спектрометрии. Значение влажности не должно превышать 10 ppm. Модули серии B25 соответствуют требованиям стандартов IEC 60747-9 и RoHS.