S273

Серия S273 представляет собой линейку силовых полупроводниковых модулей IGBT, разработанных для применения в тяговых приводах и промышленных преобразователях частоты. Производство кристаллов IGBT осуществляется на заводе ABB Semiconductors в Ленгнау, Швейцария. Ключевым этапом является диффузия бора в кремниевую подложку, что позволяет получить p-n переход с глубиной залегания 2.5 мкм, критичной для рабочих характеристик. Модули собираются на площадке в городе Брно, Чехия. При сборке используется автоматизированная линия пайки оплавлением, где припой SAC305 обеспечивает надежное соединение кристаллов с медной подложкой. Тепловое сопротивление «кристалл-корпус» не превышает 0.18 °C/Вт, что позволяет эффективно отводить тепло от IGBT. Корпус модуля имеет размеры 190 x 62 x 30 мм и степень защиты IP40. Для обеспечения стабильной работы в тяжелых условиях эксплуатации каждый модуль проходит 100% выходной контроль. Проводится тестирование изоляции между силовыми выводами и основанием при напряжении 3.6 кВ в течение 1 минуты. Также проверяется динамическое напряжение насыщения Vce(sat) при токе коллектора, равном номинальному току модуля, с предельным значением 1.75 В при температуре кристалла 125°C. В конструкции S273 применяются диоды с мягким восстановлением, произведенные по технологии Field Charge Extraction (FCE). Данная технология позволяет снизить потери при переключении до 30% по сравнению с диодами с обычным восстановлением. Максимальное обратное напряжение диодов составляет 1200 В, а прямой ток – от 300 А до 1200 А в зависимости от конкретной модели в линейке. Серия S273 предлагается с различными конфигурациями: одиночный IGBT, IGBT с диодом, полумост и шестимостовая конфигурация. Это позволяет подобрать модуль, оптимально подходящий для конкретной задачи. Номинальное напряжение коллектор-эмиттер варьируется от 600 В до 1700 В, а ток коллектора – от 200 А до 1600 А. Полная документация, включая SPICE-модели, доступна для скачивания на сайте ABB.