HMC

Серия HMC от Analog Devices включает MMIC усилители, аттенюаторы и переключатели, разработанные для работы в диапазоне частот от DC до 86 ГГц. Кремниевые усилители выпускаются на заводе в Уилмингтоне, штат Массачусетс, с использованием BiCMOS технологии с разрешением 0.18 мкм. Они предназначены для применения в системах беспроводной связи, радарах и измерительном оборудовании. Микросхемы отличаются низким уровнем шума, который составляет 0.8 дБ при частоте 10 ГГц, что позволяет строить чувствительные приемные тракты. GaAs MMIC аттенюаторы с цифровым управлением производятся в г. Эннис, Ирландия. Они обеспечивают регулировку сигнала в диапазоне до 31.5 дБ с шагом 0.5 дБ. Управление аттенюатором осуществляется по SPI интерфейсу. Уровень вносимых потерь составляет не более 1.5 дБ при частоте 20 ГГц. Устройства выдерживают мощность до 25 дБм, что позволяет использовать их в передающих трактах радиоэлектронной аппаратуры. SPDT и SP4T переключатели на основе GaAs pHEMT технологии изготавливаются в Норвуде, штат Массачусетс. Время переключения составляет не более 10 нс. Изоляция между портами превышает 35 дБ при частоте 18 ГГц. Переключатели могут работать в температурном диапазоне от -55 до +85°C. Корпуса микросхем оптимизированы для поверхностного монтажа и имеют размеры от 3x3 мм до 5x5 мм. Прецизионные усилители с низким энергопотреблением на основе SiGe HBT производятся в Мюнхене, Германия. Они обеспечивают усиление до 25 дБ при потребляемой мощности не более 50 мВт. Микросхемы имеют полосу пропускания до 25 ГГц. Входное и выходное согласование обеспечивается резисторами на подложке. Усилители поставляются в корпусах LFCSP размером 4x4 мм. Усилители мощности на основе GaN производятся в Лимерике, Ирландия, и обеспечивают выходную мощность до 10 Вт в диапазоне частот до 40 ГГц. Напряжение питания составляет 28 В. Тепловое сопротивление кристалла к корпусу составляет 8 °C/Вт. Микросхемы предназначены для работы в экстремальных условиях окружающей среды. Встроенные цепи защиты предохраняют устройство от перенапряжения и перегрева.