DMW

Серия DMW включает в себя дискретные MOSFET транзисторы, изготавливаемые на заводе Panasonic в городе Уцуномия. Используется n-канальная структура с пороговым напряжением 2.5 В ± 0.5 В, что позволяет упростить схемы драйверов. Площадь кристалла оптимизирована для минимизации паразитной емкости затвора, что снижает потери при переключении на частотах до 500 кГц. Транзисторы серии DMW предназначены для поверхностного монтажа и поставляются в корпусах TO-252 с длиной 10.2 мм, шириной 6.6 мм и высотой 2.3 мм. Тепловое сопротивление кристалл-корпус составляет 1.8 °C/Вт, что позволяет рассеивать до 60 Вт мощности при температуре корпуса не более 25°C. Каждый корпус маркируется лазерной гравировкой с указанием даты производства и партии. Процесс производства включает в себя несколько этапов контроля качества, в том числе рентгеновский анализ для проверки целостности кристалла и ультразвуковую дефектоскопию для выявления микротрещин в корпусе. Применяется технология плазменного травления для формирования микроструктур на поверхности кремниевой подложки. Обработка происходит в вакуумной камере при давлении 5 Па. При разработке учитывались требования стандартов IEC 61000-4-2 (ESD immunity) и IEC 60068-2 (Environmental testing). Все компоненты выдерживают электростатический разряд до 4 кВ по модели человеческого тела. Упаковка обеспечивает защиту от влаги и статического электричества в течение 12 месяцев хранения при температуре от +5°C до +30°C. Основные параметры: напряжение сток-исток до 100 В, ток стока до 30 А, сопротивление открытого канала (RDS(on)) от 8 мОм до 25 мОм в зависимости от модели. Температурный диапазон эксплуатации составляет от -55°C до +175°C. Контроль технологического процесса ведется согласно требованиям ISO 9001:2015.