STMicroelectronics STD110N8F6 — N-канальный силовой MOSFET
АРТИКУЛ: STD110N8F6
STD110N8F6 — это N-канальный силовой MOSFET на напряжение 80 В, разработанный по технологии STripFET F6 с новой структурой trench gate. Прибор обеспечивает очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) типично 0.0056 Ом) и рассчитан на ток 110 А. Корпус DPAK. Ключевые особенности: очень низкое сопротивление, низкий заряд затвора, высокая устойчивость к лавинному пробою, низкие потери мощности при управлении затвором. Уровень промышленный, соответствует RoHS и Ecopack2.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный Power MOSFET |
| Напряжение сток-исток (VDS) | 80 В |
| Ток стока (ID) | 110 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) typ.) | 0.0056 Ом |
| Технология | STripFET F6 |
| Корпус | DPAK |
| Уровень | Industrial |
| Соответствие RoHS | Да |
| Упаковка | Tape And Reel |
Характеристики
| Бренд | STMicroelectronics |
| Артикул | STD110N8F6 |
| Вес | 0.06 кг |
97923.15 ₽
Цена без НДС
Под заказ, 5 недель
Работаем только с юр. лицами